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    Titel:

    Monte Carlo simulation of the effect of interstitial atoms interaction on the heteroepitaxial growth of compound semiconductors

    Beteiligte:

    Rouhani, M. D. (Autor:in) / Malek, R. (Autor:in) / Gue, A. M. (Autor:in) / Bouyssou, G. (Autor:in) / Esteve, D. (Autor:in) / Jantz, W. / Baeumler, M.

    Erschienen in:

    Solid-State Materials for Advanced Technology ; 82-86

    MATERIALS SCIENCE AND ENGINEERING -LAUSANNE- B ; 44

    Erscheinungsdatum:

    01.01.1997

    Format / Umfang:

    5 pages

    ISSN:

    0921-5107

    Medientyp:

    Aufsatz (Zeitschrift)

    Format:

    Print

    Sprache:

    Englisch

    Klassifikation:

    DDC:  620.11

    © Metadata Copyright the British Library Board and other contributors. All rights reserved.

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