Epitaxial growth and characterization of GaS~xSe~1~-~x layered compound semiconductor by molecular beam epitaxy: Fid-Bau Portal

Epitaxial growth and characterization of GaS~xSe~1~-~x layered compound semiconductor by molecular beam epitaxy

Budiman, M. / Okamoto, T. / Yamada, A. / Konagai, M.

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Titel:

Epitaxial growth and characterization of GaS~xSe~1~-~x layered compound semiconductor by molecular beam epitaxy

Beteiligte:

Budiman, M. (Autor:in) / Okamoto, T. (Autor:in) / Yamada, A. (Autor:in) / Konagai, M. (Autor:in)

Erschienen in:

APPLIED SURFACE SCIENCE ; 117/118 ; 518-522

Erscheinungsdatum:

01.01.1997

Format / Umfang:

5 pages

ISSN:

0169-4332

Medientyp:

Aufsatz (Zeitschrift)

Format:

Sprache:

Englisch

Klassifikation:

DDC: 621.35

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