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    Titel:

    Analysis of GaAs/SiN interface states and hot carrier annealing effects in GaAs MESFET

    Beteiligte:

    Sasaki, H. (Autor:in) / Hayashi, K. (Autor:in) / Fujioka, T. (Autor:in) / Mizuguchi, K. (Autor:in) / Osaki, T. (Autor:in) / Sugahara, K. (Autor:in) / Konishi, R. (Autor:in) / Kasada, H. (Autor:in) / Ando, K. (Autor:in)

    Erschienen in:

    APPLIED SURFACE SCIENCE ; 117/118 ; 729-734

    Erscheinungsdatum:

    01.01.1997

    Format / Umfang:

    6 pages

    ISSN:

    0169-4332

    Medientyp:

    Aufsatz (Zeitschrift)

    Format:

    Print

    Sprache:

    Englisch

    Klassifikation:

    DDC:  621.35

    © Metadata Copyright the British Library Board and other contributors. All rights reserved.

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