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    Titel:

    Hall Effect Measurements on Transmutation Doped Semiconductors

    Beteiligte:

    Rohrlack, G. (Autor:in) / Freitag, K. (Autor:in) / Von Nathusius, C. (Autor:in) / Vianden, R. (Autor:in) / Gwilliam, R. (Autor:in) / Sealy, B. J. (Autor:in) / Balogh, A. G. / Walter, G.

    Erschienen in:

    Materials Science Applications of Ion Beam Techniques ; 119-124

    MATERIALS SCIENCE FORUM ; 248/249

    Erscheinungsdatum:

    01.01.1997

    Format / Umfang:

    6 pages

    ISSN:

    0255-5476

    Medientyp:

    Aufsatz (Zeitschrift)

    Format:

    Print

    Sprache:

    Englisch

    Klassifikation:

    DDC:  620.11

    © Metadata Copyright the British Library Board and other contributors. All rights reserved.

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