Plasma assisted molecular beam epitaxy growth of GaN: Fid-Bau Portal

Plasma assisted molecular beam epitaxy growth of GaN

Einfeldt, S. / Birkle, U. / Thomas, C. / Fehrer, M. / Heinke, H. / Hommel, D.

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Titel:

Plasma assisted molecular beam epitaxy growth of GaN

Beteiligte:

Einfeldt, S. (Autor:in) / Birkle, U. (Autor:in) / Thomas, C. (Autor:in) / Fehrer, M. (Autor:in) / Heinke, H. (Autor:in) / Hommel, D. (Autor:in)

Erschienen in:

MATERIALS SCIENCE AND ENGINEERING -LAUSANNE- B ; 50 ; 12-15

Erscheinungsdatum:

01.01.1997

Format / Umfang:

4 pages

ISSN:

0921-5107

Medientyp:

Aufsatz (Zeitschrift)

Format:

Sprache:

Englisch

Klassifikation:

DDC: 620.11

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