Initial stage of growth of GaN/GaAs(001) in plasma-assisted molecular beam epitaxy: Fid-Bau Portal

Initial stage of growth of GaN/GaAs(001) in plasma-assisted molecular beam epitaxy

Yang, H. / Brandt, O. / Trampert, A. / Ploog, K. H.

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Titel:

Initial stage of growth of GaN/GaAs(001) in plasma-assisted molecular beam epitaxy

Beteiligte:

Yang, H. (Autor:in) / Brandt, O. (Autor:in) / Trampert, A. (Autor:in) / Ploog, K. H. (Autor:in)

Erschienen in:

APPLIED SURFACE SCIENCE ; 104/105 ; 461-467

Erscheinungsdatum:

01.01.1996

Format / Umfang:

7 pages

ISSN:

0169-4332

Medientyp:

Aufsatz (Zeitschrift)

Format:

Sprache:

Englisch

Klassifikation:

DDC: 621.35

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