Diffusion length of photoexcited carriers in GaN: Fid-Bau Portal

Diffusion length of photoexcited carriers in GaN

Duboz, J. Y. / Binet, F. / Dolfi, D. / Laurent, N. / Scholz, F. / Off, J. / Sohmer, A. / Briot, O. / Gil, B.

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Titel:

Diffusion length of photoexcited carriers in GaN

Beteiligte:

Duboz, J. Y. (Autor:in) / Binet, F. (Autor:in) / Dolfi, D. (Autor:in) / Laurent, N. (Autor:in) / Scholz, F. (Autor:in) / Off, J. (Autor:in) / Sohmer, A. (Autor:in) / Briot, O. (Autor:in) / Gil, B. (Autor:in)

Erschienen in:

MATERIALS SCIENCE AND ENGINEERING -LAUSANNE- B ; 50 ; 289-295

Erscheinungsdatum:

01.01.1997

Format / Umfang:

7 pages

ISSN:

0921-5107

Medientyp:

Aufsatz (Zeitschrift)

Format:

Sprache:

Englisch

Klassifikation:

DDC: 620.11

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