Diffusion length of carriers and excitons in GaN-influence of epilayer microstructure: Fid-Bau Portal

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Diffusion length of carriers and excitons in GaN-influence of epilayer microstructure

Godlewski, M. / Lusakowska, E. / Goldys, E. M. / Phillips, M. R. / Bottcher, T. / Figge, S. / Hommel, D. / Prystawko, P. / Leszczynski, M. / Grzegory, I.

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Godlewski, M. / Lusakowska, E. / Goldys, E. M. / Phillips, M. R. / Bottcher, T. / Figge, S. / Hommel, D. / Prystawko, P. / Leszczynski, M. / Grzegory, I.

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Titel:

Diffusion length of carriers and excitons in GaN-influence of epilayer microstructure

Beteiligte:

Godlewski, M. (Autor:in) / Lusakowska, E. (Autor:in) / Goldys, E. M. (Autor:in) / Phillips, M. R. (Autor:in) / Bottcher, T. (Autor:in) / Figge, S. (Autor:in) / Hommel, D. (Autor:in) / Prystawko, P. (Autor:in) / Leszczynski, M. (Autor:in) / Grzegory, I. (Autor:in)

Erschienen in:

APPLIED SURFACE SCIENCE ; 223 ; 294-302

Erscheinungsdatum:

01.01.2004

Format / Umfang:

9 pages

ISSN:

Medientyp:

Aufsatz (Zeitschrift)

Format:

Print

Sprache:

Englisch

Klassifikation:

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