Fabrication and characterisation of p-type GaN metal-semiconductor-metal ultraviolet photoconductors grown by MBE: Fid-Bau Portal

Fabrication and characterisation of p-type GaN metal-semiconductor-metal ultraviolet photoconductors grown by MBE

Flannery, L. B. / Harrison, I. / Lacklison, D. E. / Dykeman, R. I. / Cheng, T. S. / Foxon, C. T.

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Titel:

Fabrication and characterisation of p-type GaN metal-semiconductor-metal ultraviolet photoconductors grown by MBE

Beteiligte:

Flannery, L. B. (Autor:in) / Harrison, I. (Autor:in) / Lacklison, D. E. (Autor:in) / Dykeman, R. I. (Autor:in) / Cheng, T. S. (Autor:in) / Foxon, C. T. (Autor:in)

Erschienen in:

MATERIALS SCIENCE AND ENGINEERING -LAUSANNE- B ; 50 ; 307-310

Erscheinungsdatum:

01.01.1997

Format / Umfang:

4 pages

ISSN:

0921-5107

Medientyp:

Aufsatz (Zeitschrift)

Format:

Sprache:

Englisch

Klassifikation:

DDC: 620.11

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