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High-temperature slow crack growth of silicon carbide determined by constant-stress-rate and constant-stress testing

Choi, S. R. / Salem, J. A. / Nemeth, N. N.

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Titel:

High-temperature slow crack growth of silicon carbide determined by constant-stress-rate and constant-stress testing

Beteiligte:

Choi, S. R. (Autor:in) / Salem, J. A. (Autor:in) / Nemeth, N. N. (Autor:in)

Erschienen in:

JOURNAL OF MATERIALS SCIENCE ; 33 ; 1325-1332

Erscheinungsdatum:

01.01.1998

Format / Umfang:

8 pages

ISSN:

Medientyp:

Aufsatz (Zeitschrift)

Format:

Print

Sprache:

Englisch

Klassifikation:

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