High-Voltage (>2.5kV) 4H-SiC Schottky Rectifiers Processed on Hot-Wall CVD and High-Temperature CVD Layers: Fid-Bau Portal

High-Voltage (>2.5kV) 4H-SiC Schottky Rectifiers Processed on Hot-Wall CVD and High-Temperature CVD Layers

Kimoto, T. / Wahab, Q. / Ellison, A. / Forsberg, U. / Tuominen, M. / Yakimova, R. / Henry, A. / Janzen, E.

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Titel:

High-Voltage (>2.5kV) 4H-SiC Schottky Rectifiers Processed on Hot-Wall CVD and High-Temperature CVD Layers

Beteiligte:

Kimoto, T. (Autor:in) / Wahab, Q. (Autor:in) / Ellison, A. (Autor:in) / Forsberg, U. (Autor:in) / Tuominen, M. (Autor:in) / Yakimova, R. (Autor:in) / Henry, A. (Autor:in) / Janzen, E. (Autor:in)

Erschienen in:

MATERIALS SCIENCE FORUM ; 264/268 ; 921-924

Erscheinungsdatum:

01.01.1998

Format / Umfang:

4 pages

ISSN:

0255-5476

Medientyp:

Aufsatz (Zeitschrift)

Format:

Sprache:

Englisch

Klassifikation:

DDC: 620.11

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