Temperature Impact on High-Current 1.2kV SiC Schottky Rectifiers: Fid-Bau Portal

Temperature Impact on High-Current 1.2kV SiC Schottky Rectifiers

Jorda, X. / Tournier, D. / Rebollo, J. / Millan, J. / Godignon, P.

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Titel:

Temperature Impact on High-Current 1.2kV SiC Schottky Rectifiers

Beteiligte:

Jorda, X. (Autor:in) / Tournier, D. (Autor:in) / Rebollo, J. (Autor:in) / Millan, J. (Autor:in) / Godignon, P. (Autor:in) / Nipoti, R. / Poggi, A. / Scorzoni, A.

Erschienen in:

Silicon Carbide and Related Materials 2004 ; 929-932

MATERIALS SCIENCE FORUM ; 483/485

Erscheinungsdatum:

01.01.2005

Format / Umfang:

4 pages

ISSN:

0255-5476

Medientyp:

Aufsatz (Zeitschrift)

Format:

Sprache:

Englisch

Klassifikation:

DDC: 620.11

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