Investigation of Excess Carrier Distributions in 4H-SiC Power Diodes under Static Conditions and Turn-On: Fid-Bau Portal

Investigation of Excess Carrier Distributions in 4H-SiC Power Diodes under Static Conditions and Turn-On

Tornblad, O. / Galeckas, A. / Linnros, J. / Breitholtz, B. / Lindefelt, U.

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Titel:

Investigation of Excess Carrier Distributions in 4H-SiC Power Diodes under Static Conditions and Turn-On

Beteiligte:

Tornblad, O. (Autor:in) / Galeckas, A. (Autor:in) / Linnros, J. (Autor:in) / Breitholtz, B. (Autor:in) / Lindefelt, U. (Autor:in)

Erschienen in:

MATERIALS SCIENCE FORUM ; 264/268 ; 1053-1056

Erscheinungsdatum:

01.01.1998

Format / Umfang:

4 pages

ISSN:

0255-5476

Medientyp:

Aufsatz (Zeitschrift)

Format:

Sprache:

Englisch

Klassifikation:

DDC: 620.11

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