Nanometre Scale Reactive Ion Etching of GaN Epilayers: Fid-Bau Portal

Nanometre Scale Reactive Ion Etching of GaN Epilayers

Coquillat, D. / Murad, S. K. / Ribayrol, A. / Smith, C. J. M. / De La Rue, R. M. / Wilkinson, C. D. W. / Briot, O. / Aulombard, R. L.

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Titel:

Nanometre Scale Reactive Ion Etching of GaN Epilayers

Beteiligte:

Coquillat, D. (Autor:in) / Murad, S. K. (Autor:in) / Ribayrol, A. (Autor:in) / Smith, C. J. M. (Autor:in) / De La Rue, R. M. (Autor:in) / Wilkinson, C. D. W. (Autor:in) / Briot, O. (Autor:in) / Aulombard, R. L. (Autor:in)

Erschienen in:

MATERIALS SCIENCE FORUM ; 264/268 ; 1403-1406

Erscheinungsdatum:

01.01.1998

Format / Umfang:

4 pages

ISSN:

0255-5476

Medientyp:

Aufsatz (Zeitschrift)

Format:

Sprache:

Englisch

Klassifikation:

DDC: 620.11

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