Substrate Bias Effects in AlGaN/GaN Doped Channel Heterostructure Field Effect Transistors Grown on Doped SiC Substrates: Fid-Bau Portal

Substrate Bias Effects in AlGaN/GaN Doped Channel Heterostructure Field Effect Transistors Grown on Doped SiC Substrates

Gaska, R. / Shur, M. S. / Yang, J. W. / Osinsky, A. / Orlov, A. O. / Snider, G. L.

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Titel:

Substrate Bias Effects in AlGaN/GaN Doped Channel Heterostructure Field Effect Transistors Grown on Doped SiC Substrates

Beteiligte:

Gaska, R. (Autor:in) / Shur, M. S. (Autor:in) / Yang, J. W. (Autor:in) / Osinsky, A. (Autor:in) / Orlov, A. O. (Autor:in) / Snider, G. L. (Autor:in)

Erschienen in:

MATERIALS SCIENCE FORUM ; 264/268 ; 1445-1448

Erscheinungsdatum:

01.01.1998

Format / Umfang:

4 pages

ISSN:

0255-5476

Medientyp:

Aufsatz (Zeitschrift)

Format:

Sprache:

Englisch

Klassifikation:

DDC: 620.11

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