Ga Vacancies as Compensating Centers in Homogeneously or �-Doped GaAs(Si) Layers: Fid-Bau Portal

Ga Vacancies as Compensating Centers in Homogeneously or -Doped GaAs(Si) Layers

Laine, T. / Saarinen, K. / Hautojaervi, P. / Corbel, C. / Pfeiffer, L. N. / Citrin, P. H. / Ashwin, M. J. / Newman, R. C.

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Titel:

Ga Vacancies as Compensating Centers in Homogeneously or -Doped GaAs(Si) Layers

Beteiligte:

Laine, T. (Autor:in) / Saarinen, K. (Autor:in) / Hautojaervi, P. (Autor:in) / Corbel, C. (Autor:in) / Pfeiffer, L. N. (Autor:in) / Citrin, P. H. (Autor:in) / Ashwin, M. J. (Autor:in) / Newman, R. C. (Autor:in)

Erschienen in:

MATERIALS SCIENCE FORUM ; 258/263 ; 879-884

Erscheinungsdatum:

01.01.1997

Format / Umfang:

6 pages

ISSN:

0255-5476

Medientyp:

Aufsatz (Zeitschrift)

Format:

Sprache:

Englisch

Klassifikation:

DDC: 620.11

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