Impact of Radiation-Induced Defects on the Yellow Luminescence Band in MOCVD GaN: Fid-Bau Portal

Impact of Radiation-Induced Defects on the Yellow Luminescence Band in MOCVD GaN

Emtsev, V. V. / Davydov, V. Y. / Goncharuk, I. N. / Kalinina, E. V. / Kozlovskii, V. V. / Poloskin, D. S. / Sakharov, A. V. / Shmidt, N. M. / Smirnov, A. N. / Usikov, A. S.

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Emtsev, V. V. / Davydov, V. Y. / Goncharuk, I. N. / Kalinina, E. V. / Kozlovskii, V. V. / Poloskin, D. S. / Sakharov, A. V. / Shmidt, N. M. / Smirnov, A. N. / Usikov, A. S.

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Titel:

Impact of Radiation-Induced Defects on the Yellow Luminescence Band in MOCVD GaN

Beteiligte:

Emtsev, V. V. (Autor:in) / Davydov, V. Y. (Autor:in) / Goncharuk, I. N. (Autor:in) / Kalinina, E. V. (Autor:in) / Kozlovskii, V. V. (Autor:in) / Poloskin, D. S. (Autor:in) / Sakharov, A. V. (Autor:in) / Shmidt, N. M. (Autor:in) / Smirnov, A. N. (Autor:in) / Usikov, A. S. (Autor:in)

Erschienen in:

MATERIALS SCIENCE FORUM ; 258/263 ; 1143-1148

Erscheinungsdatum:

01.01.1997

Format / Umfang:

6 pages

ISSN:

0255-5476

Medientyp:

Aufsatz (Zeitschrift)

Format:

Sprache:

Englisch

Klassifikation:

DDC: 620.11

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