Nanodiamond Photoemitters Based on Strong Narrow-Band Luminescence from Silicon-Vacancy Defects: Fid-Bau Portal

Nanodiamond Photoemitters Based on Strong Narrow-Band Luminescence from Silicon-Vacancy Defects

Vlasov, I. I. / Barnard, A. S. / Ralchenko, V. G. / Lebedev, O. I. / Kanzyuba, M. V. / Saveliev, A. V. / Konov, V. I. / Goovaerts, E.

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Titel:

Nanodiamond Photoemitters Based on Strong Narrow-Band Luminescence from Silicon-Vacancy Defects

Beteiligte:

Vlasov, I. I. (Autor:in) / Barnard, A. S. (Autor:in) / Ralchenko, V. G. (Autor:in) / Lebedev, O. I. (Autor:in) / Kanzyuba, M. V. (Autor:in) / Saveliev, A. V. (Autor:in) / Konov, V. I. (Autor:in) / Goovaerts, E. (Autor:in)

Erschienen in:

ADVANCED MATERIALS -DEERFIELD BEACH THEN WEINHEIM- ; 21 ; 808-812

Erscheinungsdatum:

01.01.2009

Format / Umfang:

5 pages

ISSN:

0935-9648

Medientyp:

Aufsatz (Zeitschrift)

Format:

Sprache:

Englisch

Klassifikation:

DDC: 620.11

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