Electroluminescence of III-Nitride Double Heterostructure Light Emitting Diodes with Silicon and Magnesium Doped InGaN: Fid-Bau Portal

Electroluminescence of III-Nitride Double Heterostructure Light Emitting Diodes with Silicon and Magnesium Doped InGaN

Saxler, A. / Kim, K. S. / Walker, D. / Kung, P. / Zhang, X. / Brown, G. J. / Mitchel, W. C. / Razeghi, M.

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Titel:

Electroluminescence of III-Nitride Double Heterostructure Light Emitting Diodes with Silicon and Magnesium Doped InGaN

Beteiligte:

Saxler, A. (Autor:in) / Kim, K. S. (Autor:in) / Walker, D. (Autor:in) / Kung, P. (Autor:in) / Zhang, X. (Autor:in) / Brown, G. J. (Autor:in) / Mitchel, W. C. (Autor:in) / Razeghi, M. (Autor:in)

Erschienen in:

MATERIALS SCIENCE FORUM ; 258/263 ; 1229-1234

Erscheinungsdatum:

01.01.1997

Format / Umfang:

6 pages

ISSN:

0255-5476

Medientyp:

Aufsatz (Zeitschrift)

Format:

Sprache:

Englisch

Klassifikation:

DDC: 620.11

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