Growth of SiC Layers on (111) Si by Solid Source Molecular Beam Epitaxy: Fid-Bau Portal

Growth of SiC Layers on (111) Si by Solid Source Molecular Beam Epitaxy

Pezoldt, J. / Stauden, T. / Cimalla, V. / Ecke, G. / Romanus, H. / Eichhorn, G.

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Titel:

Growth of SiC Layers on (111) Si by Solid Source Molecular Beam Epitaxy

Beteiligte:

Pezoldt, J. (Autor:in) / Stauden, T. (Autor:in) / Cimalla, V. (Autor:in) / Ecke, G. (Autor:in) / Romanus, H. (Autor:in) / Eichhorn, G. (Autor:in) / Pensl, G. / Morkoc, H. / Monemar, B. / Janzen, E.

Erschienen in:

Silicon Carbide, III-Nitrides and Related Materials ; 251-254

MATERIALS SCIENCE FORUM ; 264/268

Erscheinungsdatum:

01.01.1998

Format / Umfang:

4 pages

ISSN:

0255-5476

Medientyp:

Aufsatz (Zeitschrift)

Format:

Sprache:

Englisch

Klassifikation:

DDC: 620.11

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