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    Titel:

    Electronic Properties of Doped SiC at Elevated Temperatures Studied by Raman Scattering

    Beteiligte:

    Harima, H. (Autor:in) / Hosoda, T. (Autor:in) / Nakashima, S. (Autor:in) / Pensl, G. / Morkoc, H. / Monemar, B. / Janzen, E.

    Erschienen in:

    Silicon Carbide, III-Nitrides and Related Materials ; 449-454

    MATERIALS SCIENCE FORUM ; 264/268

    Erscheinungsdatum:

    01.01.1998

    Format / Umfang:

    6 pages

    ISSN:

    0255-5476

    Medientyp:

    Aufsatz (Zeitschrift)

    Format:

    Print

    Sprache:

    Englisch

    Klassifikation:

    DDC:  620.11

    © Metadata Copyright the British Library Board and other contributors. All rights reserved.

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