X-Band ENDOR of Boron and Beryllium Acceptors in Silicon Carbide: Fid-Bau Portal

X-Band ENDOR of Boron and Beryllium Acceptors in Silicon Carbide

Hofstaetter, A. / Meyer, B. K. / Scharmann, A. / Baranov, P. G. / Ilyin, I. V. / Mokhov, E. N.

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Titel:

X-Band ENDOR of Boron and Beryllium Acceptors in Silicon Carbide

Beteiligte:

Hofstaetter, A. (Autor:in) / Meyer, B. K. (Autor:in) / Scharmann, A. (Autor:in) / Baranov, P. G. (Autor:in) / Ilyin, I. V. (Autor:in) / Mokhov, E. N. (Autor:in) / Pensl, G. / Morkoc, H. / Monemar, B. / Janzen, E.

Erschienen in:

Silicon Carbide, III-Nitrides and Related Materials ; 595-598

MATERIALS SCIENCE FORUM ; 264/268

Erscheinungsdatum:

01.01.1998

Format / Umfang:

4 pages

ISSN:

0255-5476

Medientyp:

Aufsatz (Zeitschrift)

Format:

Sprache:

Englisch

Klassifikation:

DDC: 620.11

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