Beryllium Implantation Doping of Silicon Carbide: Fid-Bau Portal

Beryllium Implantation Doping of Silicon Carbide

Henkel, T. / Tanaka, Y. / Kobayashi, N. / Nishizawa, S. / Hishita, S.

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Titel:

Beryllium Implantation Doping of Silicon Carbide

Beteiligte:

Henkel, T. (Autor:in) / Tanaka, Y. (Autor:in) / Kobayashi, N. (Autor:in) / Nishizawa, S. (Autor:in) / Hishita, S. (Autor:in)

Erschienen in:

MATERIALS SCIENCE FORUM ; 338/342 ; 953-956

Erscheinungsdatum:

01.01.2000

Format / Umfang:

4 pages

ISSN:

0255-5476

Medientyp:

Aufsatz (Zeitschrift)

Format:

Sprache:

Englisch

Klassifikation:

DDC: 620.11

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