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    Titel:

    ESR Studies of Defects in p-Type 6H-SiC Irradiated with 3MeV-Electrons

    Beteiligte:

    Cha, D. (Autor:in) / Itoh, H. (Autor:in) / Morishita, N. (Autor:in) / Kawasuso, A. (Autor:in) / Ohshima, T. (Autor:in) / Watanabe, Y. (Autor:in) / Ko, J. (Autor:in) / Lee, K. (Autor:in) / Nashiyama, I. (Autor:in) / Pensl, G.

    Erschienen in:

    Silicon Carbide, III-Nitrides and Related Materials ; 615-618

    MATERIALS SCIENCE FORUM ; 264/268

    Erscheinungsdatum:

    01.01.1998

    Format / Umfang:

    4 pages

    ISSN:

    0255-5476

    Medientyp:

    Aufsatz (Zeitschrift)

    Format:

    Print

    Sprache:

    Englisch

    Klassifikation:

    DDC:  620.11

    © Metadata Copyright the British Library Board and other contributors. All rights reserved.

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