Radiation defects and degradation of C-doped SiGe diodes irradiated by electrons: Fid-Bau Portal

Radiation defects and degradation of C-doped SiGe diodes irradiated by electrons

Takakura, K. / Furukawa, H. / Kuroki, S. / Hayama, K. / Kudou, T. / Shigaki, K. / Ohyama, H. / Simoen, E. / Eneman, G. / Claeys, C.

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Titel:

Radiation defects and degradation of C-doped SiGe diodes irradiated by electrons

Beteiligte:

Takakura, K. (Autor:in) / Furukawa, H. (Autor:in) / Kuroki, S. (Autor:in) / Hayama, K. (Autor:in) / Kudou, T. (Autor:in) / Shigaki, K. (Autor:in) / Ohyama, H. (Autor:in) / Simoen, E. (Autor:in) / Eneman, G. (Autor:in) / Claeys, C. (Autor:in)

Erschienen in:

MATERIALS SCIENCE IN SEMICONDUCTOR PROCESSING ; 9 ; 292-295

Erscheinungsdatum:

01.01.2006

Format / Umfang:

4 pages

ISSN:

1369-8001

Medientyp:

Aufsatz (Zeitschrift)

Format:

Sprache:

Englisch

Klassifikation:

DDC: 621.38152

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