Fachinformationsdienst BAUdigital

Eine Plattform für die Wissenschaft: Bauingenieurwesen, Architektur und Urbanistik

    A Non-Destructive Technique for High Field Characterization of Gate Insulators in SiC MOS Capacitors

    Neue Suche nach: Madangarli, V. P.
    Neue Suche nach: Sudarshan, T. S.
    Neue Suche nach: Pensl, G.
    Neue Suche nach: Morkoc, H.
    Neue Suche nach: Monemar, B.
    Neue Suche nach: Janzen, E.

    Zugriff

    Zugriff über TIB
    Verfügbarkeit in meiner Bibliothek prüfen
    Bestellung bei Subito €

    Zugriff

    Zugriff über TIB
    Verfügbarkeit in meiner Bibliothek prüfen
    Bestellung bei Subito €

    Seitennavigation

    Dokumentinformationen
    Ähnliche Titel

    Exportieren, teilen und zitieren

    A Non-Destructive Technique for High Field Characterization of Gate Insulators in SiC MOS Capacitors

    Neue Suche nach: Madangarli, V. P.
    Neue Suche nach: Sudarshan, T. S.
    Neue Suche nach: Pensl, G.
    Neue Suche nach: Morkoc, H.
    Neue Suche nach: Monemar, B.
    Neue Suche nach: Janzen, E.

    Zugriff

    Zugriff über TIB
    Verfügbarkeit in meiner Bibliothek prüfen
    Bestellung bei Subito €

    A Non-Destructive Technique for High Field Characterization of Gate Insulators in SiC MOS Capacitors

    Neue Suche nach: Madangarli, V. P.
    Neue Suche nach: Sudarshan, T. S.
    Neue Suche nach: Pensl, G.
    Neue Suche nach: Morkoc, H.
    Neue Suche nach: Monemar, B.
    Neue Suche nach: Janzen, E.

    Zugriff

    Zugriff über TIB
    Verfügbarkeit in meiner Bibliothek prüfen
    Bestellung bei Subito €

    Zugriff

    Zugriff über TIB
    Verfügbarkeit in meiner Bibliothek prüfen
    Bestellung bei Subito €

    Seitennavigation

    Dokumentinformationen
    Ähnliche Titel

    Exportieren, teilen und zitieren

    Dokumentinformationen
    Titel:

    A Non-Destructive Technique for High Field Characterization of Gate Insulators in SiC MOS Capacitors

    Beteiligte:

    Madangarli, V. P. (Autor:in) / Sudarshan, T. S. (Autor:in) / Pensl, G. / Morkoc, H. / Monemar, B. / Janzen, E.

    Erschienen in:

    Silicon Carbide, III-Nitrides and Related Materials ; 665-668

    MATERIALS SCIENCE FORUM ; 264/268

    Erscheinungsdatum:

    01.01.1998

    Format / Umfang:

    4 pages

    ISSN:

    0255-5476

    Medientyp:

    Aufsatz (Zeitschrift)

    Format:

    Print

    Sprache:

    Englisch

    Klassifikation:

    DDC:  620.11

    © Metadata Copyright the British Library Board and other contributors. All rights reserved.

    Ähnliche Titel

    Second Generation High-k Gate Insulators

    Li, M. / Zhang, Z. / Yu, D. et al. | British Library Conference Proceedings | 2006

    Technique of high-tension insulators in Germany

    Draeger, K. | Engineering Index Backfile | 1928

    High-Performance Organic Transistors Using Solution-Processed Nanoparticle-Filled High-k Polymer Gate Insulators

    Schroeder, R. / Majewski, L. A. / Grell, M. | British Library Online Contents | 2005

    High-tension insulators

    Schapira, B. | Engineering Index Backfile | 1921

    High tension insulators

    Engineering Index Backfile | 1914

    Nach oben