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Oshiyama, A.

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Titel:

Bistability of Oxygen Vacancy in Silicon Dioxide

Beteiligte:

Oshiyama, A. (Autor:in) / Davies, G. / Nazare, M. H.

Erschienen in:

Defects in Semiconductors ICDS-19 ; 1479-1484

MATERIALS SCIENCE FORUM ; 258/263

Erscheinungsdatum:

01.01.1997

Format / Umfang:

6 pages

ISSN:

0255-5476

Medientyp:

Aufsatz (Zeitschrift)

Format:

Sprache:

Englisch

Klassifikation:

DDC: 620.11

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