Characterization of the Relaxation by Misfit Dislocations Confined at the Interface of GaN / Al~2O~3(0001) Studied by TEM: Fid-Bau Portal

Characterization of the Relaxation by Misfit Dislocations Confined at the Interface of GaN / Al~2O~3(0001) Studied by TEM

Kaiser, S. / Preis, H. / Ambacher, O. / Gebhardt, W.

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Titel:

Characterization of the Relaxation by Misfit Dislocations Confined at the Interface of GaN / Al~2O~3(0001) Studied by TEM

Beteiligte:

Kaiser, S. (Autor:in) / Preis, H. (Autor:in) / Ambacher, O. (Autor:in) / Gebhardt, W. (Autor:in) / Davies, G. / Nazare, M. H.

Erschienen in:

Defects in Semiconductors: ICDS 19 ; 1755-1760

MATERIALS SCIENCE FORUM ; 258/263

Erscheinungsdatum:

01.01.1997

Format / Umfang:

6 pages

ISSN:

0255-5476

Medientyp:

Aufsatz (Zeitschrift)

Format:

Sprache:

Englisch

Klassifikation:

DDC: 620.11

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