Formation of oxygen dimers in silicon during electron-irradiation above 250 �C: Fid-Bau Portal

Formation of oxygen dimers in silicon during electron-irradiation above 250 C

Lindstroem, J. L. / Hallberg, T. / Aaberg, D. / Svensson, B. G. / Murin, L. I. / Markevich, V. P.

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Titel:

Formation of oxygen dimers in silicon during electron-irradiation above 250 C

Beteiligte:

Lindstroem, J. L. (Autor:in) / Hallberg, T. (Autor:in) / Aaberg, D. (Autor:in) / Svensson, B. G. (Autor:in) / Murin, L. I. (Autor:in) / Markevich, V. P. (Autor:in)

Erschienen in:

MATERIALS SCIENCE FORUM ; 258/263 ; 367-372

Erscheinungsdatum:

01.01.1997

Format / Umfang:

6 pages

ISSN:

0255-5476

Medientyp:

Aufsatz (Zeitschrift)

Format:

Sprache:

Englisch

Klassifikation:

DDC: 620.11

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