A semi-quantitative study of disorder in argon ion-bombarded crystalline silicon using Auger lineshape analysis: Fid-Bau Portal

A semi-quantitative study of disorder in argon ion-bombarded crystalline silicon using Auger lineshape analysis

Walker, E. / Lund, C. P. / Klauber, C. / Jennings, P. J. / Cornish, J. C. L. / Clare, B. W. / Hefter, G. T.

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Titel:

A semi-quantitative study of disorder in argon ion-bombarded crystalline silicon using Auger lineshape analysis

Beteiligte:

Walker, E. (Autor:in) / Lund, C. P. (Autor:in) / Klauber, C. (Autor:in) / Jennings, P. J. (Autor:in) / Cornish, J. C. L. (Autor:in) / Clare, B. W. (Autor:in) / Hefter, G. T. (Autor:in)

Erschienen in:

APPLIED SURFACE SCIENCE ; 126 ; 265-272

Erscheinungsdatum:

01.01.1998

Format / Umfang:

8 pages

ISSN:

0169-4332

Medientyp:

Aufsatz (Zeitschrift)

Format:

Sprache:

Englisch

Klassifikation:

DDC: 621.35

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