Optimum conditions for producing abrupt interfaces in vacuum-ultraviolet-excited Ge epitaxy on Si(100): Fid-Bau Portal

Optimum conditions for producing abrupt interfaces in vacuum-ultraviolet-excited Ge epitaxy on Si(100)

Akazawa, H.

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Titel:

Optimum conditions for producing abrupt interfaces in vacuum-ultraviolet-excited Ge epitaxy on Si(100)

Beteiligte:

Akazawa, H. (Autor:in)

Erschienen in:

APPLIED SURFACE SCIENCE ; 130-132 ; 292-297

Erscheinungsdatum:

01.01.1998

Format / Umfang:

6 pages

ISSN:

0169-4332

Medientyp:

Aufsatz (Zeitschrift)

Format:

Sprache:

Englisch

Klassifikation:

DDC: 621.35

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