Stoichiometric and dielectric properties of BaTiO~3 thin films prepared by backside pulsed ion-beam evaporation: Fid-Bau Portal

Stoichiometric and dielectric properties of BaTiO~3 thin films prepared by backside pulsed ion-beam evaporation

Sonegawa, T. / Yatsui, K.

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Titel:

Stoichiometric and dielectric properties of BaTiO~3 thin films prepared by backside pulsed ion-beam evaporation

Beteiligte:

Sonegawa, T. (Autor:in) / Yatsui, K. (Autor:in)

Erschienen in:

JOURNAL OF MATERIALS SCIENCE LETTERS ; 17 ; 1685-1687

Erscheinungsdatum:

01.01.1998

Format / Umfang:

3 pages

ISSN:

0261-8028

Medientyp:

Aufsatz (Zeitschrift)

Format:

Sprache:

Englisch

Klassifikation:

DDC: 620.11

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