Growth and physical properties of in situ phosphorus-doped RTLPCVD polycrystalline silicon thin films: Fid-Bau Portal

Growth and physical properties of in situ phosphorus-doped RTLPCVD polycrystalline silicon thin films

Kallel, S. / Semmache, B. / Lemiti, M. / Dubois, C. / Jaffrezic, H. / Laugier, A.

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Titel:

Growth and physical properties of in situ phosphorus-doped RTLPCVD polycrystalline silicon thin films

Beteiligte:

Kallel, S. (Autor:in) / Semmache, B. (Autor:in) / Lemiti, M. (Autor:in) / Dubois, C. (Autor:in) / Jaffrezic, H. (Autor:in) / Laugier, A. (Autor:in) / Slaoui, A. / Singh, R. K. / Theiler, T. / Muller, J. C.

Erschienen in:

Papers presented at the European Materials Research Society 1998 Meeting. Symposium I: Rapid Thermal Processing ; 299-302

MATERIALS SCIENCE IN SEMICONDUCTOR PROCESSING ; 1

Erscheinungsdatum:

01.01.1998

Format / Umfang:

4 pages

ISSN:

1369-8001

Medientyp:

Aufsatz (Zeitschrift)

Format:

Sprache:

Englisch

Klassifikation:

DDC: 621.38152

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