Electrical and structural properties of low temperature boron- and phosphorus-doped polycrystalline silicon thin films prepared by ECR-CVD: Fid-Bau Portal

Electrical and structural properties of low temperature boron- and phosphorus-doped polycrystalline silicon thin films prepared by ECR-CVD

Hsiao, H.L. / Shieh, Y.Y. / Lee, R.S. / Wang, R.Y. / Wang, K.C. / Hwang, H.L. / Yang, A.B.

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Titel:

Electrical and structural properties of low temperature boron- and phosphorus-doped polycrystalline silicon thin films prepared by ECR-CVD

Beteiligte:

Hsiao, H.L. (Autor:in) / Shieh, Y.Y. (Autor:in) / Lee, R.S. (Autor:in) / Wang, R.Y. (Autor:in) / Wang, K.C. (Autor:in) / Hwang, H.L. (Autor:in) / Yang, A.B. (Autor:in)

Erschienen in:

APPLIED SURFACE SCIENCE ; 142 ; 400-406

Erscheinungsdatum:

01.01.1999

Format / Umfang:

7 pages

ISSN:

0169-4332

Medientyp:

Aufsatz (Zeitschrift)

Format:

Sprache:

Englisch

Klassifikation:

DDC: 621.35

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