Properties of BaBi~2Ta~2O~9 thin films prepared by chemical solution deposition technique for dynamic random-access memory applications: Fid-Bau Portal

Properties of BaBi~2Ta~2O~9 thin films prepared by chemical solution deposition technique for dynamic random-access memory applications

Foschini, C. R. / Joshi, P. C. / Varela, J. A. / Desu, S. B.

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Titel:

Properties of BaBi~2Ta~2O~9 thin films prepared by chemical solution deposition technique for dynamic random-access memory applications

Beteiligte:

Foschini, C. R. (Autor:in) / Joshi, P. C. (Autor:in) / Varela, J. A. (Autor:in) / Desu, S. B. (Autor:in)

Erschienen in:

JOURNAL OF MATERIALS RESEARCH -PITTSBURGH- ; 14 ; 1860-1864

Erscheinungsdatum:

01.01.1999

Format / Umfang:

5 pages

ISSN:

0884-2914

Medientyp:

Aufsatz (Zeitschrift)

Format:

Sprache:

Englisch

Klassifikation:

DDC: 620.11

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