Growth of atomically smooth AlN films with a 5:4 coincidence interface on Si(111) by MBE: Fid-Bau Portal

Growth of atomically smooth AlN films with a 5:4 coincidence interface on Si(111) by MBE

Schenk, H.P.D. / Kaiser, U. / Kipshidze, G.D. / Fissel, A. / Krauszlich, J. / Hobert, H. / Schulze, J. / Richter, W.

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Titel:

Growth of atomically smooth AlN films with a 5:4 coincidence interface on Si(111) by MBE

Beteiligte:

Schenk, H.P.D. (Autor:in) / Kaiser, U. (Autor:in) / Kipshidze, G.D. (Autor:in) / Fissel, A. (Autor:in) / Krauszlich, J. (Autor:in) / Hobert, H. (Autor:in) / Schulze, J. (Autor:in) / Richter, W. (Autor:in)

Erschienen in:

MATERIALS SCIENCE AND ENGINEERING -LAUSANNE- B ; 59 ; 84 - 87

Erscheinungsdatum:

01.01.1999

Format / Umfang:

4 pages

ISSN:

0921-5107

Medientyp:

Aufsatz (Zeitschrift)

Format:

Sprache:

Englisch

Klassifikation:

DDC: 620.11

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