Carrier capture in InGaN quantum wells and hot carrier effects in GaN: Fid-Bau Portal

Carrier capture in InGaN quantum wells and hot carrier effects in GaN

Binet, F. / Duboz, J.Y. / Grattepain, C. / Scholz, F. / Off, J.

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Titel:

Carrier capture in InGaN quantum wells and hot carrier effects in GaN

Beteiligte:

Binet, F. (Autor:in) / Duboz, J.Y. (Autor:in) / Grattepain, C. (Autor:in) / Scholz, F. (Autor:in) / Off, J. (Autor:in)

Erschienen in:

MATERIALS SCIENCE AND ENGINEERING -LAUSANNE- B ; 59 ; 323 - 329

Erscheinungsdatum:

01.01.1999

Format / Umfang:

7 pages

ISSN:

0921-5107

Medientyp:

Aufsatz (Zeitschrift)

Format:

Sprache:

Englisch

Klassifikation:

DDC: 620.11

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