Polycrystalline thin film transistors fabricated by FALC (field aided lateral crystallization) technique: Fid-Bau Portal

Polycrystalline thin film transistors fabricated by FALC (field aided lateral crystallization) technique

Song, K.-S. / Lee, J.-B. / Jun, S.-I. / Choi, D.-K. / Park, S.-G.

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Titel:

Polycrystalline thin film transistors fabricated by FALC (field aided lateral crystallization) technique

Beteiligte:

Song, K.-S. (Autor:in) / Lee, J.-B. (Autor:in) / Jun, S.-I. (Autor:in) / Choi, D.-K. (Autor:in) / Park, S.-G. (Autor:in)

Erschienen in:

JOURNAL OF MATERIALS SCIENCE LETTERS ; 18 ; 1209-1212

Erscheinungsdatum:

01.01.1999

Format / Umfang:

4 pages

ISSN:

0261-8028

Medientyp:

Aufsatz (Zeitschrift)

Format:

Sprache:

Englisch

Klassifikation:

DDC: 620.11

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