V-shaped defects in InGaN/GaN multiquantum wells: Fid-Bau Portal

V-shaped defects in InGaN/GaN multiquantum wells

Mahanty, S. / Hao, M. / Sugahara, T. / Fareed, R.S.Q. / Morishima, Y. / Naoi, Y. / Wang, T. / Sakai, S.

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Titel:

V-shaped defects in InGaN/GaN multiquantum wells

Beteiligte:

Mahanty, S. (Autor:in) / Hao, M. (Autor:in) / Sugahara, T. (Autor:in) / Fareed, R.S.Q. (Autor:in) / Morishima, Y. (Autor:in) / Naoi, Y. (Autor:in) / Wang, T. (Autor:in) / Sakai, S. (Autor:in)

Erschienen in:

MATERIALS LETTERS ; 41 ; 67-71

Erscheinungsdatum:

01.01.1999

Format / Umfang:

5 pages

ISSN:

0167-577X

Medientyp:

Aufsatz (Zeitschrift)

Format:

Sprache:

Englisch

Klassifikation:

DDC: 620.1105 / 530

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