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    Dokumentinformationen
    Titel:

    Calculation of hopping-conduction energy of holes in SiO"2 based on molecular orbital theory

    Beteiligte:

    Takemura, Y. (Autor:in) / Ushio, J. (Autor:in) / Maruizumi, T. (Autor:in) / Kubota, K. (Autor:in) / Miyao, M. (Autor:in)

    Erschienen in:

    MATERIALS SCIENCE IN SEMICONDUCTOR PROCESSING ; 2 ; 233-238

    Erscheinungsdatum:

    01.01.1999

    Format / Umfang:

    6 pages

    ISSN:

    1369-8001

    Medientyp:

    Aufsatz (Zeitschrift)

    Format:

    Print

    Sprache:

    Englisch

    Klassifikation:

    DDC:  621.38152

    © Metadata Copyright the British Library Board and other contributors. All rights reserved.

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