Domain structure and electrical properties of highly textured PbZr~xTi~1~-~xO~3 thin films grown on LaNiO~3-electrode-buffered Si by metalorganic chemical vapor deposition: Fid-Bau Portal

Domain structure and electrical properties of highly textured PbZr~xTi~1~-~xO~3 thin films grown on LaNiO~3-electrode-buffered Si by metalorganic chemical vapor deposition

Lin, C. H. / Yen, B. M. / Kuo, H. C. / Chen, H. / Wu, T. B. / Stillman, G. E.

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Lin, C. H. / Yen, B. M. / Kuo, H. C. / Chen, H. / Wu, T. B. / Stillman, G. E.

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Titel:

Domain structure and electrical properties of highly textured PbZr~xTi~1~-~xO~3 thin films grown on LaNiO~3-electrode-buffered Si by metalorganic chemical vapor deposition

Beteiligte:

Lin, C. H. (Autor:in) / Yen, B. M. (Autor:in) / Kuo, H. C. (Autor:in) / Chen, H. (Autor:in) / Wu, T. B. (Autor:in) / Stillman, G. E. (Autor:in)

Erschienen in:

JOURNAL OF MATERIALS RESEARCH -PITTSBURGH- ; 15 ; 115-124

Erscheinungsdatum:

01.01.2000

Format / Umfang:

10 pages

ISSN:

0884-2914

Medientyp:

Aufsatz (Zeitschrift)