The dopant fields in "uniform-diffusion-layer", "global-thermal-convection" and "precrystallization-zone" models: Fid-Bau Portal

The dopant fields in "uniform-diffusion-layer", "global-thermal-convection" and "precrystallization-zone" models

Balint, A. M. / Baltean, D. G. / Levy, T. / Mihailovici, M. / Neculae, A. / Balint, S.

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Balint, A. M. / Baltean, D. G. / Levy, T. / Mihailovici, M. / Neculae, A. / Balint, S.

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Titel:

The dopant fields in "uniform-diffusion-layer", "global-thermal-convection" and "precrystallization-zone" models

Beteiligte:

Balint, A. M. (Autor:in) / Baltean, D. G. (Autor:in) / Levy, T. (Autor:in) / Mihailovici, M. (Autor:in) / Neculae, A. (Autor:in) / Balint, S. (Autor:in)

Erschienen in:

MATERIALS SCIENCE IN SEMICONDUCTOR PROCESSING ; 3 ; 115-121

Erscheinungsdatum:

01.01.2000

Format / Umfang:

7 pages

ISSN:

1369-8001

Medientyp:

Aufsatz (Zeitschrift)

Format:

Sprache:

Englisch

Klassifikation:

DDC: 621.38152

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