Epitaxial monocrystalline SiC films grown on Si by HFCVD at 780degreeC: Fid-Bau Portal

Epitaxial monocrystalline SiC films grown on Si by HFCVD at 780degreeC

Zhiyong, Z. / Wu, Z. / Xuewen, W. / Tianming, L. / Zhiming, C. / Shuixian, Z.

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Titel:

Epitaxial monocrystalline SiC films grown on Si by HFCVD at 780degreeC

Beteiligte:

Zhiyong, Z. (Autor:in) / Wu, Z. (Autor:in) / Xuewen, W. (Autor:in) / Tianming, L. (Autor:in) / Zhiming, C. (Autor:in) / Shuixian, Z. (Autor:in)

Erschienen in:

MATERIALS SCIENCE AND ENGINEERING -LAUSANNE- B ; 75 ; 177 - 179

Erscheinungsdatum:

01.01.2000

Format / Umfang:

3 pages

ISSN:

0921-5107

Medientyp:

Aufsatz (Zeitschrift)

Format:

Sprache:

Englisch

Klassifikation:

DDC: 620.11

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