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3C-SiC Pseudosubstrates for the Growth of Cubic GaN

Aboughe-Nze, P. / Chassagne, T. / Chaussende, D. / Monteil, Y. / Cauwet, F. / Bustarret, E. / Deneuville, A. / Bentoumi, G. / Martinez-Guerrerro, E. / Daudin, B.

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Aboughe-Nze, P. / Chassagne, T. / Chaussende, D. / Monteil, Y. / Cauwet, F. / Bustarret, E. / Deneuville, A. / Bentoumi, G. / Martinez-Guerrerro, E. / Daudin, B.

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Titel:

3C-SiC Pseudosubstrates for the Growth of Cubic GaN

Beteiligte:

Aboughe-Nze, P. (Autor:in) / Chassagne, T. (Autor:in) / Chaussende, D. (Autor:in) / Monteil, Y. (Autor:in) / Cauwet, F. (Autor:in) / Bustarret, E. (Autor:in) / Deneuville, A. (Autor:in) / Bentoumi, G. (Autor:in) / Martinez-Guerrerro, E. (Autor:in) / Daudin, B. (Autor:in)

Erschienen in:

MATERIALS SCIENCE FORUM ; 338/342 ; 1467-1470

Erscheinungsdatum:

01.01.2000

Format / Umfang:

4 pages

ISSN:

Medientyp:

Aufsatz (Zeitschrift)

Format:

Print

Sprache:

Englisch

Klassifikation:

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