Transport and absorption in strain-compensated Si/Si1-xGex multiple quantum well and cascade structures deposited on Si0.5Ge0.5 pseudosubstrates: Fid-Bau Portal

Transport and absorption in strain-compensated Si/Si1-xGex multiple quantum well and cascade structures deposited on Si0.5Ge0.5 pseudosubstrates

Grutzmacher, D. / Tsujino, S. / Falub, C. / Borak, A. / Diehl, L. / Muller, E. / Sigg, H. / Gennser, U. / Fromherz, T. / Meduna, M.

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Titel:

Transport and absorption in strain-compensated Si/Si1-xGex multiple quantum well and cascade structures deposited on Si0.5Ge0.5 pseudosubstrates

Beteiligte:

Grutzmacher, D. (Autor:in) / Tsujino, S. (Autor:in) / Falub, C. (Autor:in) / Borak, A. (Autor:in) / Diehl, L. (Autor:in) / Muller, E. (Autor:in) / Sigg, H. (Autor:in) / Gennser, U. (Autor:in) / Fromherz, T. (Autor:in) / Meduna, M. (Autor:in)

Erschienen in:

MATERIALS SCIENCE IN SEMICONDUCTOR PROCESSING ; 8 ; 401-409

Erscheinungsdatum:

01.01.2005

Format / Umfang:

9 pages

ISSN:

1369-8001

Medientyp:

Aufsatz (Zeitschrift)

Format:

Sprache:

Englisch

Klassifikation:

DDC: 621.38152

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