Fachinformationsdienst BAUdigital

Eine Plattform für die Wissenschaft: Bauingenieurwesen, Architektur und Urbanistik

    Ohmic Contact Formation on Silicon-Doped Gallium Nitride Epilayers by Low Temperature Annealing

    Neue Suche nach: Prakash, S.
    Neue Suche nach: Tan, L. S.
    Neue Suche nach: Ng, K. M.
    Neue Suche nach: Raman, A.
    Neue Suche nach: Chua, S. J.
    Neue Suche nach: Wee, A. T. S.
    Neue Suche nach: Lim, S. I.

    Zugriff

    Zugriff über TIB
    Verfügbarkeit in meiner Bibliothek prüfen
    Bestellung bei Subito €

    Zugriff

    Zugriff über TIB
    Verfügbarkeit in meiner Bibliothek prüfen
    Bestellung bei Subito €

    Seitennavigation

    Dokumentinformationen
    Ähnliche Titel

    Exportieren, teilen und zitieren

    Ohmic Contact Formation on Silicon-Doped Gallium Nitride Epilayers by Low Temperature Annealing

    Neue Suche nach: Prakash, S.
    Neue Suche nach: Tan, L. S.
    Neue Suche nach: Ng, K. M.
    Neue Suche nach: Raman, A.
    Neue Suche nach: Chua, S. J.
    Neue Suche nach: Wee, A. T. S.
    Neue Suche nach: Lim, S. I.

    Zugriff

    Zugriff über TIB
    Verfügbarkeit in meiner Bibliothek prüfen
    Bestellung bei Subito €

    Ohmic Contact Formation on Silicon-Doped Gallium Nitride Epilayers by Low Temperature Annealing

    Neue Suche nach: Prakash, S.
    Neue Suche nach: Tan, L. S.
    Neue Suche nach: Ng, K. M.
    Neue Suche nach: Raman, A.
    Neue Suche nach: Chua, S. J.
    Neue Suche nach: Wee, A. T. S.
    Neue Suche nach: Lim, S. I.

    Zugriff

    Zugriff über TIB
    Verfügbarkeit in meiner Bibliothek prüfen
    Bestellung bei Subito €

    Zugriff

    Zugriff über TIB
    Verfügbarkeit in meiner Bibliothek prüfen
    Bestellung bei Subito €

    Seitennavigation

    Dokumentinformationen
    Ähnliche Titel

    Exportieren, teilen und zitieren

    Dokumentinformationen
    Titel:

    Ohmic Contact Formation on Silicon-Doped Gallium Nitride Epilayers by Low Temperature Annealing

    Beteiligte:

    Prakash, S. (Autor:in) / Tan, L. S. (Autor:in) / Ng, K. M. (Autor:in) / Raman, A. (Autor:in) / Chua, S. J. (Autor:in) / Wee, A. T. S. (Autor:in) / Lim, S. I. (Autor:in)

    Erschienen in:

    MATERIALS SCIENCE FORUM ; 338/342 ; 1619-1622

    Erscheinungsdatum:

    01.01.2000

    Format / Umfang:

    4 pages

    ISSN:

    0255-5476

    Medientyp:

    Aufsatz (Zeitschrift)

    Format:

    Print

    Sprache:

    Englisch

    Klassifikation:

    DDC:  620.11

    © Metadata Copyright the British Library Board and other contributors. All rights reserved.

    Ähnliche Titel

    Ti/Ni ohmic contact to n-type gallium nitride

    Vassilevski, K. V. / Rastegaeva, M. G. / Babanin, A. I. et al. | British Library Online Contents | 1997

    Ohmic contacts to Gallium Nitride materials

    Greco, Giuseppe / Iucolano, Ferdinando / Roccaforte, Fabrizio | British Library Online Contents | 2016

    Ohmic contacts to Gallium Nitride materials

    Greco, G. / Iucolano, F. / Roccaforte, F. | British Library Online Contents | 2016

    Ohmic contacts to Gallium Nitride materials

    Greco, Giuseppe / Iucolano, Ferdinando / Roccaforte, Fabrizio | British Library Online Contents | 2016

    Effect of Argon Ion Irradiation on Ohmic Contact Formation on n-Type Gallium Nitride

    Kimura, K. / Maeda, M. / Takahashi, Y. | British Library Online Contents | 2013

    Nach oben