Homoepitaxy of Silicon Carbide Using the Single Precursor 1,3-Disilabutane: Fid-Bau Portal

Homoepitaxy of Silicon Carbide Using the Single Precursor 1,3-Disilabutane

Lee, S. Y. / Lee, K.-W. / Kim, Y.

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Titel:

Homoepitaxy of Silicon Carbide Using the Single Precursor 1,3-Disilabutane

Beteiligte:

Lee, S. Y. (Autor:in) / Lee, K.-W. (Autor:in) / Kim, Y. (Autor:in)

Erschienen in:

MATERIALS SCIENCE FORUM ; 338/342 ; 177-180

Erscheinungsdatum:

01.01.2000

Format / Umfang:

4 pages

ISSN:

0255-5476

Medientyp:

Aufsatz (Zeitschrift)

Format:

Sprache:

Englisch

Klassifikation:

DDC: 620.11

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