Growth of SiC on 6H-SiC {01&unknown;14} Substrates by Gas Source Molecular Beam Epitaxy: Fid-Bau Portal

Growth of SiC on 6H-SiC {01&unknown;14} Substrates by Gas Source Molecular Beam Epitaxy

Nakamura, S. / Hatayama, T. / Kimoto, T. / Fuyuki, T. / Matsunami, H.

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Titel:

Growth of SiC on 6H-SiC {01&unknown;14} Substrates by Gas Source Molecular Beam Epitaxy

Beteiligte:

Nakamura, S. (Autor:in) / Hatayama, T. (Autor:in) / Kimoto, T. (Autor:in) / Fuyuki, T. (Autor:in) / Matsunami, H. (Autor:in)

Erschienen in:

MATERIALS SCIENCE FORUM ; 338/342 ; 201-204

Erscheinungsdatum:

01.01.2000

Format / Umfang:

4 pages

ISSN:

0255-5476

Medientyp:

Aufsatz (Zeitschrift)

Format:

Sprache:

Englisch

Klassifikation:

DDC: 620.11

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