Quantum chemical mechanism of oxidation of the hydrogen-terminated Si surface by oxygen anion: Fid-Bau Portal

Quantum chemical mechanism of oxidation of the hydrogen-terminated Si surface by oxygen anion

Sakata, K. / Sato, T. / Nakamura, K. / Osamura, A. / Tachibana, A.

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Titel:

Quantum chemical mechanism of oxidation of the hydrogen-terminated Si surface by oxygen anion

Beteiligte:

Sakata, K. (Autor:in) / Sato, T. (Autor:in) / Nakamura, K. (Autor:in) / Osamura, A. (Autor:in) / Tachibana, A. (Autor:in)

Erschienen in:

APPLIED SURFACE SCIENCE ; 159-160 ; 392-397

Erscheinungsdatum:

01.01.2000

Format / Umfang:

6 pages

ISSN:

0169-4332

Medientyp:

Aufsatz (Zeitschrift)

Format:

Sprache:

Englisch

Klassifikation:

DDC: 621.35

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