Heteroepitaxial growth of 3C-SiC on (100) silicon by C60 and Si molecular beam epitaxy: Fid-Bau Portal

Heteroepitaxial growth of 3C-SiC on (100) silicon by C60 and Si molecular beam epitaxy

Volz, K. / Schreiber, S. / Gerlach, J. W. / Reiber, W. / Rauschenbach, B. / Stritzker, B. / Assmann, W. / Ensinger, W.

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Volz, K. / Schreiber, S. / Gerlach, J. W. / Reiber, W. / Rauschenbach, B. / Stritzker, B. / Assmann, W. / Ensinger, W.

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Titel:

Heteroepitaxial growth of 3C-SiC on (100) silicon by C60 and Si molecular beam epitaxy

Beteiligte:

Volz, K. (Autor:in) / Schreiber, S. (Autor:in) / Gerlach, J. W. (Autor:in) / Reiber, W. (Autor:in) / Rauschenbach, B. (Autor:in) / Stritzker, B. (Autor:in) / Assmann, W. (Autor:in) / Ensinger, W. (Autor:in)

Erschienen in:

MATERIALS SCIENCE AND ENGINEERING -LAUSANNE- A ; 289 ; 255 - 264

Erscheinungsdatum:

01.01.2000

Format / Umfang:

10 pages

ISSN:

0921-5093

Medientyp:

Aufsatz (Zeitschrift)

Format:

Sprache:

Englisch

Klassifikation:

DDC: 620.11

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